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FF200R12KT3

功能描述：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A

RoHS：否

制造商：Infineon Technologies

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V

集电极—射极饱和电压：1.95 V

在25 C的连续集电极电流：230 A

栅极—射极漏泄电流：400 nA

功率耗散：445 W

最大工作温度：+ 125 C

封装 / 箱体：34MM

封装：

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